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J-GLOBAL ID：201802248400844412   整理番号：18A2069867

空気安定で平衡したスプリットゲート有機トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Air-stable and balanced split-gate organic transistors

著者 (8件)： Yoo Hocheon (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea) ,  Nakano Masahiro (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  On Sungmin (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea) ,  Ahn Hyungju (Pohang Accelerator Laboratory, Pohang, 790-784, Republic of Korea) ,  Lee Han-Koo (Pohang Accelerator Laboratory, Pohang, 790-784, Republic of Korea) ,  Takimiya Kazuo (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), 2-1 Hirosawa, Wako, Saitama, 351-0198, Japan) ,  Takimiya Kazuo (Department of Chemistry, Graduate School of Science, Tohoku University, 6-3, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8578, Japan) ,  Kim Jae-Joon (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 63  ページ： 200-206  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 両極性有機エレクトロニクスは,相補性のような回路を実装するための簡単な代替技術として関心を集めている。実際の応用は空気中で安定な操作を必要とするが,両極性有機エレクトロニクスに関する多くの以前の研究は,高真空またはN_2雰囲気のみで測定された結果を報告した。これは,空気に暴露したとき,両極性特性が非対称p型支配または単極p型特性に変化するためである。環境大気が両極性有機半導体に及ぼす影響の基礎的研究にはほとんど努力されていない。本論文では,ポリ{[N,N′-ビス(3-デシルペンタデシル)-naphtho[2,3-b:6,7-b′]ジチオフェン-4,5,9,10-tetracarboxidiimide-2,7-ジイル]-alt-5,5′-(2,2′-ビチオフェン(PNDTI-BT-DP)を用いて周囲空気下で平衡p/n特性を有する両極性OTFTを実証した。XPS,UPS及び種々の雰囲気での電気的特性化を用いた解析に基づいて,PNDTI-BT-DPはAu接触電極に関する両極性電荷注入に対するターゲット値より0.45eV高いと結論した。PNDTI-BT-DPのエネルギー準位は,膜が周囲空気に曝されると0.45eVだけ上昇し,電気的性質の変化をもたらした。概念実証応用として,電気制御に基づく単極pまたはn型素子のいずれかとして動作する空気安定スプリットゲートOTFTを実証した。最後に,p-またはn-型操作の両方に対する素子特性が大気暴露の約120時間後に維持されることを示す結果を報告した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  電気制御 ,  *有機半導体 ,  高真空 ,  非対称性 ,  金 ,  相補性 ,  電気的性質 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  有機薄膜トランジスタ ,  有機エレクトロニクス ,  両極性 ,  *有機FET ,  *スプリットゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 両極性半導体 ,  マルチゲートデバイス ,  空気安定性 ,  空気曝露効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 平衡 ,  スプリットゲート ,  有機トランジスタ