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J-GLOBAL ID：201802248469598588   整理番号：18A0109349

Ge₂Sb₂Te₅における準安定積層多形

Metastable Stacking-Polymorphism in Ge₂Sb₂Te₅

著者 (4件)： HE Shixiong (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  ZHU Linggang (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  ZHOU Jian (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  SUN Zhimei (Beihang Univ., Beijing, CHN)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 56  号： 19  ページ： 11990-11997  発行年： 2017年10月02日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準安定岩塩構造のカルコゲン化合物,Ge₂Sb₂Te₅(GST),は相変化に基づくデータ貯蔵物質,例えば相変化RAM,として広く用いられている。しかし,その相変化における原子配列レベルでの詳細はまだ明らかではない。本研究では密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算により,立方晶GSTにおける準安定多形構造について詳細に調べた。計算からは,立方晶GSTは多形構造,すなわち,無秩序分布した空格子点から高度に秩序化した空格子点構造で表せることが分かった。その結果,電気的性質は金属から半導体の範囲で変わることを示した。立方晶GSTのこの様な原子的積層の違いは合成条件によって調節することができ,相変化物質のパフォーマンスの調節に有効と考えられる。

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *積層構造 ,  PRAM【メモリ】 ,  密度汎関数法 ,  *多形 ,  空格子点 ,  電気的性質 ,  材料 ,  *準安定状態
準シソーラス用語： テルル化ゲルマニウムアンチモン ,  相変化RAM ,  相変化物質

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (1件)： 多形