文献

J-GLOBAL ID：201802248472700094   整理番号：18A1334227

量子ドット蛍光体の結晶成長と光電変換デバイスへの応用

Crystal growth of quantum dot phosphors and their application to photoelectric conversion device

著者 (4件)： 長久保準基 (アルバック 未来技研) ,  OH Seungjun (アルバック 未来技研) ,  西橋勉 (アルバック 未来技研) ,  村上裕彦 (アルバック 未来技研)
資料名： ULVAC Technical Journal  (ULVAC Technical Journal)
号： 81  ページ： 17-22  発行年： 2017年08月31日 
JST資料番号： L3761A  ISSN： 0910-6189  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 優れた光電子性能を有する半導体量子ドットを得るには「エピタキシャル成長,微粒子サイズ制御,配位子制御」を含むいくつかの技術が必要である。これらの技術により量子ドット蛍光体を合成した。この量子ドット蛍光体は,β-SiAlONのような従来の蛍光体より良好な色純度(半値全幅:4nm,色度座標:0.177,0.688)を示した。これらの量子ドットを用いて作成した光電変換器は,850nmの赤外光において16.7%の外部量子効率を示した。結果は,従来の有機CMOSイメージセンサより優れた赤外線イメージセンサを開発する可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 量子ドット ,  半導体 ,  光起電素子 ,  エピタクシー ,  *結晶成長 ,  *半導体プロセス ,  結晶粒径 ,  配位子 ,  液晶ディスプレイ ,  面光源 ,  蛍光体
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *光電変換素子 ,  *量子ドット光半導体

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

引用文献 (11件)：

• A. P. Alivisatos: Science New Series, 271(1996) 933-937.
• Garnett W. Bryant: Phys. Rev. B, 37 (1988) 8763.
• Ki-Heon Lee, Jeong-Hoon Lee, Woo-Seuk Song, Heejoo Ko, Changho Lee, Jong-Hyuk Lee, and Heesun Yang: ACS nano., 7 (2013) 7295.
• Dickerson, Bryan Douglas: ′′Organometallic Synthesis Kinetics of CdSe Quantum Dots′′, 3 (2005) 41.
• Jian Chen, Yangai Liu, Lefu Mei, Haikun Liu, Minghao Fang, and Zhaohui Huang: Scientific Reports, 5 (2015) 9673.

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  蛍光体 ,  結晶成長 ,  光電変換 ,  応用