抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本論文では,プロセス誘起機械的応力の存在下における,ムルフィンガ超薄箱形およびボディ完全分割(UTBBFD-SOI)MOSFETの性能を調べ,モデル化した。指数(NF)の関数として,マルチフィンガーFDSOI MOSFET(SiチャネルNMOSとSiGeチャネルPMOS)におけるチャネルストレスと有効駆動電流(I_eff)をモデル化した。提案したI_effモデルは,Sentaurus TCADシミュレーションと比較して,最大誤差7%で,Invert/NAND-2/NAND-3の性能(すなわち,I_eff)を予測した。NMOSFETのNFが1から12に増加すると,μm幅当たりのI_effは約36%増加し,その後飽和することを示した。これはNFによるチャネル応力の増加によるもので,バルクCMOS技術で観測されたものと類似している。しかし,高い二軸応力のために,PMOSFETの(SiGeチャネル)性能はNFによってわずかに変化する。これは,正孔移動度の改善が高い二軸応力値で飽和するためである。また,インバータのFO4遅延は,単一フィンガ素子よりもむしろインバータを設計するために使用されるとき,16.67%減少することを示した。最後に,著者らのストレスモデルとインバータ/NAND/NORセルのためのI_effを用いて,著者らは,FDSOI MOSFETにおけるマルチフィンガー効果を組み込んだ組合せデータパスのための修正論理的努力方法論(LEM)を提案した。LEMを用いて設計された5段階のデータパスは,従来の技術と比較して,速度の損失なしに全活性面積の14.3%の改善と漏れ電力の7%の低減をもたらす。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】