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J-GLOBAL ID：201802248838216157   整理番号：18A0454197

イメージセンサ技術の最新動向 4章 技術トピック(3)~グローバルシャッタCMOSイメージセンサの開発動向~

著者 (1件)： 小林昌弘 (キヤノン)
資料名： 映像情報メディア学会誌  (映像情報メディア)
巻： 72  号： 2  ページ： 208-211  発行年： 2018年03月01日 
JST資料番号： F0330A  ISSN： 1342-6907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・2015~2017年のIISW(国際イメージセンサワークショップ)における報告例を概説。
・有機光電変換膜を用いた画素サイズ0.9μm角のグローバルシャッタの動作実現。
・適応AD変換器の積層による全画素読出し型480フレーム/秒のグローバルシャッタ,Lateral Over-Flow Integral Capacitorの画像内設置による22万電子の飽和電荷量の読出し,28μm角のグローバルシャッタ画素における近赤外に対するクロストークと量子効率に関する考察などを紹介。

シソーラス用語： 電子シャッタ ,  *イメージセンサ ,  国際会議 ,  会議 ,  電子回路 ,  *CMOSイメージセンサ ,  技術動向
準シソーラス用語： ワークショップ【集会】 ,  画素回路 ,  開発動向

分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

引用文献 (19件)：

• 1)中村淳一:“イメージセンサ技術の最新動向1-2 トピックス(2)~高速化, ADC, 積層型センサ,グローバルシャッタセンサ~”,映情学誌,70,2,pp.252-255(2016)
• 2)T. Kondo, et al.: "A 3D stacked CMOS image sensor with 16Mpixel global-shutter mode and 2Mpixel 10000fps mode using 4 million interconnections", IEEE Symp. VLSI Circuits, Dig. Tech. Papers, pp. C90-91(June 2015)
• 3)M. Takase, et al.: "First demonstration of 0.9 μ m pixel global shutter operation by novel charge control in organic photoconductive film", IEEE IEDM, Dig. Tech. Papers, pp.775-778(Dec. 2015)
• 4)S. Shishido, et al.: "210ke- Saturation Signal 3 μ m-Pixel Variable-Sensitivity Global-Shutter Organic Photoconductive Image Sensor for Motion Capture", ISSCC Dig. Tech. Papers, pp.112-113(Feb. 2016)
• 5)Y. Oike, et al.: "An 8.3M-pixel 480fps Global-Shutter CMOS Image Sensor with Gain-Adaptive Column ADCs and 2-on-1 Stacked Device Structure", IEEE Symp. VLSI Circuits, Dig. Tech. Papers, pp. C222-223(June 2016)

タイトルに関連する用語 (7件)： イメージセンサ ,  最新動向 ,  トピック ,  グローバル ,  シャッタ ,  CMOSイメージセンサ ,  開発動向