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J-GLOBAL ID:201802248860755167   整理番号:18A1718795

ZnOナノワイヤ被覆フォトニック結晶ナノキャビティに基づくオンチップ二重電気光学および光電気変調【JST・京大機械翻訳】

On-Chip Dual Electro-Optic and Optoelectric Modulation Based on ZnO Nanowire-Coated Photonic Crystal Nanocavity
著者 (12件):
資料名:
巻:号: 17  ページ: e1800374  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2486A  ISSN: 2195-1071  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電子-フォトニックハイブリッド集積回路は次世代超高速情報処理チップの基本的基礎を表し,超高速で超低エネルギー消費電子とフォトニック情報の相互変換と変調,すなわちオンチップ二重電気光学と光電気変調を必要とする。しかし,このタイプの変調は,十分な真性電気光学と光電気応答を同時に実証する材料がないため,今日まで実現されていない。窒化ケイ素フォトニック結晶ナノ共振器モードの強い局在化光場によって引き起こされたこのナノワイヤのゲート電圧と電気伝導率変化によって駆動されるZnOナノワイヤの屈折率変化に基づいて,オンチップ二重電気光学と光電気変調を実験的に実現した。1.5Vの低いゲート電圧はFano様共鳴波長で7nmの大きなシフトを誘起し,75%の大きな変調深さで800nmの光信号の伝搬状態を変調した。さらに,0.4μWの低いパワーをもつ弱い信号光は,電気信号において60%の変調深さを誘起する。このようにして,電子とフォトニック信号間のオンチップ変換を達成した。本研究は,新しいナノスケール多機能オプトエレクトロニクス集積素子の実現に向けての道を開き,新しい光電子機能材料の研究のためのオンチッププラットフォームを提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光変調器 

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