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J-GLOBAL ID：201802248914453390   整理番号：18A0969344

STMによりプローブした黒リンの電子特性に及ぼす空孔の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of vacancies on electronic properties of black phosphorus probed by STM

著者 (6件)： Riffle J. V. (Department of Physics, University of New Hampshire, Durham, New Hampshire 03824, USA) ,  Flynn C. (Department of Physics, University of New Hampshire, Durham, New Hampshire 03824, USA) ,  St. Laurent B. (Department of Physics, University of New Hampshire, Durham, New Hampshire 03824, USA) ,  Ayotte C. A. (Department of Chemistry, University of New Hampshire, Durham, New Hampshire 03824, USA) ,  Caputo C. A. (Department of Chemistry, University of New Hampshire, Durham, New Hampshire 03824, USA) ,  Hollen S. M. (Department of Physics, University of New Hampshire, Durham, New Hampshire 03824, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 4  ページ： 044301-044301-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リン(BP)は,その直接0.4~1.5eV層依存バンドギャップと高移動度のために,顕著な注意を受けている。BPデバイスはバルク結晶からの剥離に依存するので,ソース材料中の自然不純物と欠陥を理解する必要がある。特に,試料は典型的にp-ドープされているが,ドーピング源はよく理解されていない。ここでは,走査型トンネル顕微鏡と分光法を用いて,2つの市販ソースからのBP試料の原子欠陥を比較した。ソースが不純物原子において一桁異なる結晶を生成するにもかかわらず,類似の欠陥密度とpドーピングのレベルを観測した。これらの欠陥をリン空格子点に帰属し,それらがpドーピングの源であるという証拠を提供した。また,これらの自然欠陥を空気曝露により誘起された欠陥と比較し,それらが電子構造の制御に対して明確で,より重要であることを示した。これらの結果は,BP中の不純物が空格子点に比べて小さい役割を果たしていることを示しており,これは市販の材料で一般的であり,空格子点欠陥のより良い制御のために呼ばれる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プローブ ,  不純物 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  *リン ,  電子構造 ,  欠陥密度
準シソーラス用語： 不純物原子 ,  バルク結晶 ,  高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： STM ,  プローブ ,  黒リン ,  電子 ,  空孔