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J-GLOBAL ID：201802248976114756   整理番号：18A1506440

MCNO薄膜と有機化合物の界面電気特性【JST・京大機械翻訳】

Interface electrical properties between MCNO thin film and organic compounds

著者 (2件)： Zhang Fei (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 Yu Tian Road, Shanghai 200083, China) ,  Huang ZhiMing (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 Yu Tian Road, Shanghai 200083, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 6  ページ： 061601-061601-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化インジウムスズ(ITO)ガラス上に蒸着したMn-Co-Ni-O(MCNO)薄膜は1.52eVのバンドギャップを有し,電子輸送層(ETL)としてWO_3,MoO_3またはV_2O_5膜を置換することができた。PN接合はMCNO/(4,4′-ビス(9H-カルバゾール-9-イル)ビフェニル)とMCNO/(4,4′,4′′-トリ(9-カルバゾイル)トリフェニレアミン)多層に対して形成され,正と負の電圧の下で電気的性質を改善することができる。(R_v+-R_v-)/R_v+比対電圧の曲線に対する遷移点がある。ETL層としてのMCNO薄膜に対する高効率動作範囲であるこの点以下の範囲を利用することは合理的であり,電子抽出の特性はPN接合により増強され得る。(6,6)-フェニル-C61-酪酸メチルエステル(PCBM)はn型半導体であり,ITO/MCNO/PCBM多層は内蔵電場の影響を受けない。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *薄膜 ,  ガラス ,  多層 ,  PN接合 ,  *有機化合物 ,  電場 ,  *電気特性 ,  *界面 ,  アミン ,  転移温度 ,  酸化インジウムスズ ,  電圧 ,  N型半導体
準シソーラス用語： 内蔵 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  有機化合物 ,  界面 ,  電気特性