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J-GLOBAL ID:201802249095525621   整理番号:18A1871473

先進デバイスのためのレーザ照射による統合グラフェン系【JST・京大機械翻訳】

Integrated graphene systems by laser irradiation for advanced devices
著者 (5件):
資料名:
巻: 12  ページ: 14-30  発行年: 2017年 
JST資料番号: W3114A  ISSN: 1748-0132  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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携帯型エレクトロニクスの開発により,統合されたグラフェンの微細構造とデバイスは,小さな占有面積を持つそれらの環境に優しい軽量の特徴により,注目を集めている。高速処理速度,大きな走査面積およびナノメータ空間分解能の利点を有するレーザ照射技術は,広く研究され,集積電子応用のためのグラフェン材料の種々のナノ/微細構造の作製に応用されてきた。本レビューでは,マイクロ回路,スーパーキャパシタ,センサ,アクチュエータ,メモリチップおよびオプトエレクトロニクスデバイスにおける最新の応用とともに,集積グラフェン素子のレーザ指向設計および作製に関する重要な進歩を要約した。将来のグラフェン集積デバイスの設計と改良における展望と課題についても論じた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (3件):
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