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J-GLOBAL ID：201802249119658870   整理番号：18A1391571

非晶質/ナノ結晶バイモーダルSi-Al-C粉末を用いた超低温緻密化により作製したナノ構造SiC【JST・京大機械翻訳】

Nanostructured SiC prepared by ultra low temperature densification using amorphous/nano-crystalline bimodal Si-Al-C powder

著者 (5件)： Yoon Bola (Division of Powder and Ceramics Research, Korea Institute of Materials Science, Changwon 51508, Republic of Korea) ,  Yoon Bola (Materials Science and Engineering Program, Department of Mechanical Engineering, University of Colorado Boulder, Boulder, CO 80309, United States) ,  Lee Sea-Hoon (Division of Powder and Ceramics Research, Korea Institute of Materials Science, Changwon 51508, Republic of Korea) ,  Zhao Lin (Division of Powder and Ceramics Research, Korea Institute of Materials Science, Changwon 51508, Republic of Korea) ,  Lee Heesoo (Department of Materials Science and Engineering, Pusan National University, Busan 609-735, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 13  ページ： 15176-15180  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メカニカルアロイングとスパークプラズマ焼結を用いて,40MPaの圧力下で1525°Cで緻密でナノ構造のSiCを作製した。非晶質Si-Al-Cとβ-SiC微結晶から成る丸型ナノ粉末(d_50:108nm)を,高エネルギーボールミリングを用いて調製した。アルミニウムはSi-Al-C粉末中に均一に分布していた。ミリング過程でのAlの添加は3C-SiC結晶度の減少を引き起こし,3C-SiCの積層欠陥の発生を促進した。1600~1550°Cでの2段階焼結後に,132nmの粒径をもつ緻密なSiCが作製された。焼結SiC粒中のAl含有量は報告値より3倍以上高かった。結晶粒界拡散と格子拡散は粉末中のAlの高濃度により活性化された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼結 ,  メカニカルアロイング ,  *緻密化 ,  粒径 ,  *粉体 ,  *ナノ結晶 ,  積層欠陥 ,  *超低温 ,  結晶度 ,  *アルミニウム ,  *炭化ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  放電プラズマ焼結 ,  *非晶質
準シソーラス用語： ナノ粉末 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 積層欠陥 ,  メカニカルアロイング ,  Raman分光法 ,  スパークプラズマ焼結 ,  炭化物

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (10件)： 非晶質 ,  ナノ結晶 ,  Si ,  Al ,  粉末 ,  超低温 ,  緻密化 ,  作製 ,  ナノ構造 ,  SiC