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J-GLOBAL ID：201802249141997917   整理番号：18A1512235

3D逐次積分を考慮したIBEOL用の低k誘電体に及ぼす熱アニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Thermal Annealing on Low-K Dielectrics for iBEOL in View of 3D Sequential Integration

著者 (14件)： Beaurepair S. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Jousseaume V. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Gonon P. (LTM, UGA/CNRS/CEA, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Bsiesy A. (LTM, UGA/CNRS/CEA, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Guerin C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Rochat N. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Licitra C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Charvet P-L. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Veillerot M. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Rambal N. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France) ,  Nouguier D. (850 rue Jean Monnet, STMicroelectronics, Crolles Cedex, 38926, France) ,  Ney D. (850 rue Jean Monnet, STMicroelectronics, Crolles Cedex, 38926, France) ,  Federspiel X. (850 rue Jean Monnet, STMicroelectronics, Crolles Cedex, 38926, France) ,  Fenouillet-Beranger C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Univ. Grenoble Alpes, Grenoble, F-38054, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IITC  ページ： 61-63  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,3D逐次積分のための中間的Back-End-Of-Line(iBEOL)の観点から,低k材料の熱安定性の徹底的研究を提示した。SiOCH ULKを600°Cまでの熱アニーリング後に分析した。さらに,線1積分におけるW金属と結合したこのULK材料の安定性と信頼性を550°C,5時間まで特性化した。低k材料は,限られたガス放出で500°C,2hの熱収支を支持できることを実証した。この結果は3D逐次積分と完全に互換性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  信頼性 ,  *積分 ,  *三次元 ,  熱収支 ,  ガス放出 ,  熱安定性 ,  互換性
準シソーラス用語： *熱アニーリング ,  *低k誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  逐次 ,  積分 ,  低k誘電体 ,  熱アニーリング