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J-GLOBAL ID:201802249158624547   整理番号:18A1066930

GaドーピングとH_2活性化によるZnOのNO_2感知特性の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhanced NO2 Sensing Property of ZnO by Ga Doping and H2 Activation
著者 (14件):
資料名:
巻: 215  号: 11  ページ: e1700861  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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GaドープZnOナノ粒子を容易な共沈法により調製し,H_2アニーリングにより活性化した。調製したZnO粉末をX線回折計(XRD),Brunauer-Emmett-Teller(BET),高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM),走査電子顕微鏡(SEM),X線光電子分光法,Raman及び光ルミネセンス分光法により特性化した。プローブとしてのNO_2を用いたガス検知特性は,540°CでH_2中で活性化された1at.%Ga-ZnO粉末が約50/ppmの高いNO_2応答を示し,エタノール,アセトン,トルエン,NO,SO_2,C_2H_6,およびC_2H_4のような典型的な干渉に対して高い選択性を示し,200°Cで測定されたように高い安定性を示した。反対に,純粋なZnOとH_2活性化のないGa-ZnOははるかに低い応答を示し,高性能ガスセンシング材料を目的としたH_2アニーリングによるGaドーパント活性化の効果を示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス  ,  酸化物薄膜 

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