文献
J-GLOBAL ID:201802249182770610   整理番号:18A0426487

酸化されたZnO薄膜の熱電特性に及ぼす形態変化の影響【Powered by NICT】

Effect of morphology evolution on the thermoelectric properties of oxidized ZnO thin films
著者 (9件):
資料名:
巻: 436  ページ: 354-361  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ZnO膜の熱電特性に及ぼすナノワイヤ含有量の影響を調べた。ZnO膜のナノワイヤ含有量は蒸着したZn膜の熱酸化により調整した。結果はZn膜の表面上の六方晶と多面体形態は,ZnO膜のナノワイヤ含有量を調整するために使用できることを示した。直径100~350nmの六方晶系ナノプレートは容易にc軸優先配向したZnOナノワイヤを成長させた。逆に,ZnO(101)と(001)ファセットの会合がナノワイヤ成長を抑制したため,直径500~750nmの多面体ナノ粒子上にナノワイヤを成長することは困難である。熱電パラメータはナノワイヤ含有量によって強く影響された。特に,キャリア濃度はナノワイヤ含有量と共に増加した。ナノワイヤは電子移動のためのチャンネルとして挙動したがキャリア移動度もナノワイヤ含有量と共に増加した。酸素空格子点とOの零一s電子の結合エネルギーが低下したので,膜のバンドギャップはナノワイヤ含有量とともに狭くなった。高ナノワイヤ含有量(530Kで8.80μW/mK~2)膜の最大力率が低いナノワイヤ含有量の膜のそれよりも約300%高かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る