文献

J-GLOBAL ID：201802249329493427   整理番号：18A0365739

2次元半導体遷移金属ジカルコゲナイドのフォトニクスとオプトエレクトロニクス

Photonics and optoelectronics of 2D semiconductor transition metal dichalcogenides

著者 (2件)： MAK Kin Fai (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  SHAN Jie (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 10  号： 4  ページ： 216-226  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals結合固体の原子レベルで薄い層の開発が進展したため,2次元物理の研究や材料応用で新しい可能性が生まれている。その中でも半導体金属ジカルコゲナイドMX(M=Mo,W;X=S,Se)はバンドギャップが近赤外から可視の領域にあり,零バンドギャップのグラフェンとは対照的である。単層極限でこれら物質は直接型バンドギャップを持つため,フォトニクスやオプトエレクトロニクスに有望である。ここでは,2d次元半導体遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の電子・光学特性を,強い励起子効果とスピン,バレー依存の特性に重点をおいて解説した。1)電子特性,2)光学特性,3)オプトエレクトロニクス応用-光検出器,励起子LED,光誘起バレー電流,4)フォトニクス応用-結合TMD-共振器系におけるPurcell効果,強結合共振器ポラリトン,低閾値レーザ発振を示す証拠,2次元TMDにおける単一光子放出量子ドット,等の章に分けて解説を行った。

シソーラス用語： カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  タングステン化合物 ,  硫化物 ,  *硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  モリブデン化合物 ,  単原子層 ,  グラフェン ,  バンドギャップ ,  分子結晶 ,  *オプトエレクトロニクス ,  光検出器 ,  発光ダイオード ,  光子 ,  量子ドット ,  レーザ発振 ,  光共振器
準シソーラス用語： Purcell効果 ,  van der Waals結晶 ,  *セレン化タングステン ,  *セレン化モリブデン ,  *フォトニクス ,  *遷移金属ジカルコゲナイド ,  単一光子 ,  直接バンドギャップ ,  *硫化タングステン

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2次元 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  フォトニクス ,  オプトエレクトロニクス