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J-GLOBAL ID：201802249425869152   整理番号：18A0027349

3.6kV4H-SiC PiNパワーダイオードの開発【Powered by NICT】

Development of 3.6 kV 4H-SiC PiN power diodes

著者 (3件)： Zou Xiao (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Yue Ruifeng (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wang Yan (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3×10~15cm~ 3でドープした30μm厚n型エピタキシャル層に基づいて,浮遊ガードリング(E JFs)構造のエッチングされた接合終端拡張(JTE)を用いたPiNダイオードを設計し,作製した。アノードメサとJTE領域を500°Cとエッチングプロセスでのイオン注入により形成された。測定結果は作製したPiNダイオードは大きな均一性と収率を有する3.6kVの逆電圧を阻害すると,3.7Vの順方向電圧降下(I_A=100A/cm~2)が得られることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧降下 ,  *ダイオード ,  イオン注入 ,  電圧 ,  浮遊 ,  ドーピング ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： ガードリング ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー ,  ダイオード ,  開発