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J-GLOBAL ID:201802249447258968   整理番号:18A2040603

神経形態ハードウェア学習のためのニューロンASICによる二重障壁メムリスタダイの統合【JST・京大機械翻訳】

Integration of Double Barrier Memristor Die with Neuron ASIC for Neuromorphic Hardware Learning
著者 (8件):
資料名:
巻: 2018  号: ISCAS  ページ: 1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,統合と火災(I&F)ニューロンASICの設計と二重障壁メムリスタデバイスとの統合について詳述した。メムリスタは時間と電圧により変化する不揮発性アナログメモリ特性を持つ。ニューロンASICは,ある閾値が到達するとき,その電流と発火を統合することによって,メムリスタと相互作用するように設計される。得られたスパイクはメムリスタのコンダクタンスを増加させ,結果としてニューロンの発火率を増加させる。全体として,ASICとメムリスタはハードウェア上で神経形態学的学習を模倣する。ASICはAMS350nmプロセスで作製した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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