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J-GLOBAL ID：201802249480801683   整理番号：18A0589269

SOI電界効果H allセンサの増大した磁気感度【Powered by NICT】

Increased magnetics sensitivity of SOI field-effect hall sensor

著者 (4件)： Korolyov Michael A. (National Research University of Electronic Technology (MIET), Moscow, Russia) ,  Kozlov A.V. (National Research University of Electronic Technology (MIET), Moscow, Russia) ,  Krasyukov Anton Yu. (National Research University of Electronic Technology (MIET), Moscow, Russia) ,  Devlikanova Svetlana S. (National Research University of Electronic Technology (MIET), Moscow, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ELCONRUS  ページ： 1376-1379  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日,SOI電界効果H all(SOI FEHS)センサはこのようなデバイスの機能性の膨張に起因して多くの利点を持っている。SOI FEHSの主な欠点は,比較的低い磁気感度である。,主な課題は,このようなセンサの磁気感度を増加させる可能性を検討することである。を記述し,素子及び技術シミュレーションシノプシスTCADを用いて計算した伝達特性を比較することにより,SOI電界効果H allセンサの電気的パラメータの記述のための数学モデルとシミュレーション法を研究した。センサの動作層における基質濃度を変化させて磁気感度を向上させる方法を考察した。開発した数学モデルはSOIH allセンサ場詳細の特徴を研究し,同様に磁気感度を増加させることを可能にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *センサ ,  シミュレーション ,  *電場効果 ,  数学モデル ,  *磁気 ,  基質
準シソーラス用語： 伝達特性 ,  TCAD ,  機能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  電界効果 ,  ALL ,  磁気 ,  感度