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J-GLOBAL ID：201802249493255722   整理番号：18A1808685

高分子誘電体の電気的破壊におけるすべての理論 MAYBE【JST・京大機械翻訳】

The Theory of Everything In The Electrical Breakdown Of Polymeric Dielectrics: Maybe

著者 (1件)： Dissado Leonard Alexander (Department of Engineering, University of Leicester, Leicester, U.K.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICD  ページ： 1-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥誘起絶縁破壊による決定論的破壊から電気的エージングまでの機構による電気的破壊を,その基本的特徴を決定する目的で評価した。サブ臨界適用場でさえ,機構が磁場依存平衡に到達することを試みると,破壊の開始の基準は,場の増強または材料の修正による臨界場の発生であり,適用された場の臨界を決定することができることを示した。臨界磁場が到達できない場合には低い印加磁場で例外があり,劣化短絡のランダムな形成により,非使用可能になるか,あるいは誘電的に破壊することができない。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *誘電体 ,  高分子 ,  磁場 ,  臨界 ,  臨界磁場
準シソーラス用語： 印加磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高分子誘電体 ,  破壊 ,  理論