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J-GLOBAL ID：201802249505334309   整理番号：18A1035115

ZrNi_2-xTm_xGa(TM=Cu,Co)ホイスラー化合物の超伝導特性に及ぼすTmドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of TM doping on the superconducting properties of ZrNi_2-xTM_xGa (TM = Cu, Co) Heusler compounds

著者 (3件)： Basaula Dharma Raj (Department of Physics, Miami University, Oxford, OH 45056, USA) ,  Brock Jeffrey (Department of Physics, Miami University, Oxford, OH 45056, USA) ,  Khan Mahmud (Department of Physics, Miami University, Oxford, OH 45056, USA)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 5  ページ： 055704-055704-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折,走査電子顕微鏡,電気抵抗率,dc磁化およびac磁化率測定により,ZrNi_2-xTM_xGa(TM=Cu,Co)ホイスラー化合物の構造および超伝導特性を調べた。全ての試料は室温で立方晶系L2_1構造で結晶化した。x≦0.25では,すべてのZrNi_2-xCu_xGa化合物は,Cu濃度の増加に伴い,超伝導特性とT_Cの減少を示した。dc磁化データは全てのCuドープ化合物に対してタイプII超伝導を示唆した。ZrNi_2-xCu_xGa化合物とは対照的に,ZrNi_2-xCo_xGa化合物では超伝導は観察されなかった。Coドープ化合物におけるCoの低濃度によるNiの置換は超伝導を破壊した。実験結果を議論し,可能な説明を提供した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  立方晶系 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  磁化 ,  磁化率 ,  *ニッケル ,  *ツリウム ,  *超伝導 ,  *銅
準シソーラス用語： 低濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (5件)： CO ,  ホイスラー化合物 ,  超伝導特性 ,  Tm ,  ドーピング