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J-GLOBAL ID：201802249625565726   整理番号：18A1564876

SiO₂材の静疲労き裂進展速度湿度依存性の原子レベルモデルに基づく解析

著者 (1件)： 保川彰夫 (東京都市大)
資料名： 日本機械学会年次大会講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会年次大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.J2210403  発行年： 2017年09月02日 
JST資料番号： X0587C  ISSN： 2424-2667  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： >SiO₂材の静疲労き裂進展速度の,反応律速領域における湿度依存性を表す理論式を,速度論に基づく,き裂進展速度式と,原子レベルシミュレーションに基づく表面エネルギ式を,組み合わせることにより導いた。本理論式による事例計算結果は,実験結果とよい一致を示した。本理論式を基に,湿度依存性をべき乗則で近似した場合の指数mの式を導いた。この式に基づき,材料中の欠陥によって生じるH₂O分子の物理吸着サイトの増加が,指数mを増加させ,湿度依存性を増加させることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  疲れ亀裂成長 ,  *原子モデル ,  シミュレーション ,  分子動力学 ,  破壊力学 ,  律速 ,  反応速度論 ,  表面エネルギー ,  物理吸着 ,  水分子 ,  MEMS
準シソーラス用語： *湿度依存性 ,  分子シミュレーション ,  *亀裂進展速度

分類 (2件)： セラミック材料  (HC05040O) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  き裂進展速度 ,  湿度依存性 ,  原子 ,  モデル ,  解析