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J-GLOBAL ID：201802249809545695   整理番号：18A0161090

IoTアプリケーションのためのNTVにおけるUTBB FDSOIインバータ運転におけるトレードオフ性能と電力消費【Powered by NICT】

Performance and Power Consumption Trade-Off in UTBB FDSOI Inverters Operated at NTV for IoT Applications

著者 (4件)： Couso Carlos (Electronic Engineering Department, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Martin-Martinez Javier (Electronic Engineering Department, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Porti Marc (Electronic Engineering Department, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Nafria Montserrat (Electronic Engineering Department, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6  号： 1  ページ： 55-62  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体CMOSインバータ回路の超薄ボディと埋め込み酸化膜完全空乏化シリコンの電力消費とI_on/I_off比はTCADシミュレーションからの近しきい値電圧動作で計算した。TCAD出力(電流,電圧,及び容量)は,インバータ回路を解くためのパラメータとして使用した。に加えて,バイアス動作点(V_OP)が提案されている,これはI_on/I_off比とエネルギー消費の間の良好なトレードオフを提供する。この動作点の変化,界面トラップの存在に起因して,についても解析した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  エネルギー消費 ,  バイアス ,  *電力消費 ,  絶縁体 ,  *応用プログラム
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  閾値電圧 ,  TCAD ,  埋込み酸化膜 ,  CMOSインバータ ,  *FDSOI ,  *モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： IoT ,  アプリケーション ,  FDSOI ,  インバータ ,  トレードオフ ,  電力消費