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J-GLOBAL ID：201802249972400970   整理番号：18A1483282

イメージングエリプソメトリーにより研究したガラス状As_35S_65カルコゲン化物薄膜の光学特性における電子ビーム誘起変化【JST・京大機械翻訳】

Electron beam induced changes in optical properties of glassy As₃₅S₆₅ chalcogenide thin films studied by imaging ellipsometry

著者 (11件)： Janicek P. (Institute of Applied Physics and Mathematics, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Janicek P. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Funke S. (Accurion GmbH, Stresemannstrasse 30, 37073 Gottingen, Germany) ,  Thiesen P.H. (Accurion GmbH, Stresemannstrasse 30, 37073 Gottingen, Germany) ,  Slang S. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Palka K. (Department of General and Inorganic Chemistry, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Palka K. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Mistrik J. (Institute of Applied Physics and Mathematics, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Mistrik J. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Grinco M. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic) ,  Vlcek M. (Center of Materials and Nanotechnologies, Faculty of Chemical Technology, University of Pardubice, Studentska 95, Pardubice 532 10, Czech Republic)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 660  ページ： 759-765  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分光イメージング偏光解析法を用いて,異なる曝露線量を有する電子ビームによってガラス状As_35S_65薄膜に記録された50μm×50μmの二乗を研究した。電子露出領域の光学定数(屈折率nと消光係数k)を,スペクトル範囲390~800nmで記録した画像偏光解析データから決定した。それぞれの電子曝露正方形(異なる電子照射線量を有するガラス状As_35S_65)の複素誘電率をTauc-Lorentz振動子によってパラメータ化した。層の厚さの範囲内で直線的に変化する屈折率を持つ勾配光学モデルを用いた。Tauc-Lorentz振動子のパラメータの評価は,エネルギーバンドギャップの減少,全記録スペクトルの屈折率の増加(膜の上部でより顕著),および材料が二乗の曝露に使用される電子曝露線量の増加とともに吸収するスペクトルの部分での消光係数の増加を明らかにした。Mott-Davisモデルを用いた短波長吸収端開始から,電子曝露線量の増加に伴う局所無秩序の減少を定量化した。電子照射線量に対する光学定数スペクトルの透明部分に対するWemple-DiDomenicoモデルのパラメータの依存性を示した。記録された画像を有する薄膜を,続いて非プロトン性溶媒中でアミンベースの溶液中でエッチングした。天然膜は完全にエッチングされたが,曝露された領域の残留高さは,使用された電子暴露量の増加と共に増加した。異なる露光線量の電子ビームにより誘起される光学的性質とエッチング速度の変化の知識は,高分解能電子線リソグラフィーによる光学素子の作製に用いることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 振動子 ,  画像 ,  スペクトル ,  *薄膜 ,  バンドギャップ ,  屈折率 ,  *偏光解析法 ,  微細構造 ,  光学定数 ,  パラメタリゼーション ,  アミン ,  *画像処理 ,  複素誘電率 ,  *電子ビーム
準シソーラス用語： 消光係数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： イメージングエリプソメトリー ,  光学的性質 ,  カルコゲン化物ガラス ,  薄膜 ,  微細構造化

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 研究 ,  ガラス ,  カルコゲン化物 ,  薄膜 ,  光学特性 ,  電子ビーム ,  誘起