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J-GLOBAL ID:201802250022783914   整理番号:18A0239502

ブースティング太陽から水素生成のための垂直に整列したMoS_2負荷による数層g C_3N_4のin situ合成【Powered by NICT】

In Situ Synthesis of Few-Layered g-C3N4 with Vertically Aligned MoS2 Loading for Boosting Solar-to-Hydrogen Generation
著者 (9件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: ROMBUNNO.201703003  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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人工光触媒水素発生では,有効な入射光子吸収と高電荷再結合速度は,全体的な効率に影響する重要な要因である。ここでは,従来の固相合成は,初めて得る垂直整列MoS_2負荷(MoS_2/C_3N_4)と数層g C_3N_4の新しい試料に使用されている。チオ尿素と層状MoO_3を前駆体として選択し,窒素雰囲気下で反応してin situ生成物を生成した。準Fourier変換赤外反射率とX線回折測定によると,詳細な反応過程は形成された経路を介して進行することを決定した。二前駆体単位MoS_2とC_3N_4はMo-N結合,電子受信機/伝導体と水素発生部位として作用するによって結合されている。密度汎関数理論も行われている,これは界面部位は電子蓄積領域として作用することを決定した。光電気化学結果によると,MoS_2/C_3N_4は0.05mA cm~ 2の電流,裸g C_3N_4またはMoS_2/C_3N_4R参照試料のそれよりも十倍高く,これを達成することができる。本研究の知見は,のみならず一連の指定された試料の合成を,固相反応を十分に理解への道を開いた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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