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J-GLOBAL ID:201802250156494797   整理番号:18A0522658

多孔質炭素電極の表面化学,静電容量挙動に及ぼすりんドーピングの影響【Powered by NICT】

Influence of phosphorus doping on surface chemistry and capacitive behaviors of porous carbon electrode
著者 (11件):
資料名:
巻: 266  ページ: 420-430  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ヘテロ原子ドーピングは,炭素電極の表面特性を修飾する効果的な戦略であり,その電気化学的性能を高める。本研究では,高い比表面積を有するリン(P)をドープした多孔質炭素は,超純無煙炭とさらにH_3PO_4活性化のKOH前活性化により調製した。H_3PO_4活性化後は急速なイオンの拡散のためにより多くのメソ多孔性を生成するだけでなく,炭素足場上でのPドーピングの可能性P-源を提供する。Pドープ含有量の増加は不安定なキノン及びカルボン酸基の生成をかなり抑制し,Pをドープした多孔質炭素の酸化安定性を高める。1m Et_4NBF_4/PCの電極として評価すると,得られた材料は,30Ag~( 1),20000サイクル後に90%の容量保持の異常な安定性と低い漏れ電流1.2μA以下で75%保持の優れた定格を示した。より重要なことは,リン酸基による活性酸化部位閉塞に因り,Pをドープした多孔質炭素は,ドープしていない多孔質炭素,1500W kgで38.65Wh kg~( 1)の高エネルギー密度を供給するように~のそれと比較してEt_4NBF_4/PC中,3.0Vの高い電圧で安定して動作する( 1)。研究は先進的電気化学エネルギー貯蔵におけるH_3PO_4活性化多孔質炭素の工業的応用のための洞察に満ちた材料化学を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  静電機器 

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