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J-GLOBAL ID:201802250203884114   整理番号:18A1253665

短波長スペクトル励起準定常状態光コンダクタンス測定によるシリコンウエハの不等不動態化表面上の表面再結合速度を決定するための新しい解析法【JST・京大機械翻訳】

A novel analysis method to determine the surface recombination velocities on unequally passivated surfaces of a silicon wafer by the short wavelength spectrum excited quasi-steady-state photoconductance measurement
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 065218-065218-12  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7121A  ISSN: 2158-3226  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,不均一に不動態化されたウエハの各表面上の個々の表面再結合速度(S_1とS_2)を決定するための解析手法を提案し,従来の方法におけるS_1=S_2の粗い仮定を排除した。表面再結合に相対的に敏感な表面分布過剰電荷キャリアを利用して,短い通過フィルタ(FSP1)を装備したキセノンフラッシュランプの準定常状態照明を用いて試料をプローブした。SiO_2とSiNxにより不動態化された試料と裸のシリコンウエハのセットを実験で調製した。測定した時間依存過剰電荷キャリアのフィッティングに基づいて,S_1とS_2を著者らの解析アプローチに基づいて決定した。過剰電荷キャリア密度の空間と時間分布を示した。波長,Sおよびτ_バルクに対するτ_effの依存性も詳細に議論した。最後に,この方法の信頼性を長距離フィルタ(FLP2)で検証した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体と絶縁体の電気伝導一般 

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