{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201802250222021331   整理番号:18A2161622

シリコン中の超浅熱ドナーの基底状態

Ground state of ultrashallow thermal donors in silicon
著者 (2件):
資料名:
巻: 57  号: 10  ページ: 101301.1-101301.5  発行年: 2018年10月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電子構造が有効質量理論に従う炭素および水素ドープCzochralski法によるシリコン(CZ-Si)結晶において超低温熱ドナー(USTDs)を見出した。著者らの知る限りでは,これらはSi結晶における現在報告されているドナーの中で最も浅いエネルギー準位である。さらに,USTDsの基底状態(1s状態)は少なくとも2つに分割されることが分かった。本研究では,基底状態または上部基底状態からUSTD-1およびUSTD-3の2p+-および2p0状態への遷移により誘起された透過率の温度依存性を測定した。USTD-3の上部基底状態のエネルギー準位は,USTD-1の基底状態がUSTD-3より浅いという事実にもかかわらず,USTD-1よりも浅いことが分かった。すなわち,USTD-1とUSTD-3の上部基底状態のエネルギー準位は基底状態のそれに対して逆になっている。さらに,13C(核スピンI=1/2)および重水素(I=1)ドープSiの電子スピン共鳴を,12C(I=0)および水素(I=1/2)ドープSiと比較した。しかし,二つの電子スピン共鳴スペクトルの間に明確な差は見られなかった。これらの結果に基づいて,USTDsの原子構造を簡単に議論した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
不純物・欠陥の電子構造  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る