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J-GLOBAL ID：201802250306477191   整理番号：18A0403861

Stone-Wales欠陥を有するSi/O/Al/P原子をドープした(5,0)ほう素窒素ナノチューブの安定性と電子構造:密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

The stability and electronic structures of Si/O/Al/P atom doped (5,0)boron nitrogen nanotubes with Stone-Wales defects: Density functional theory studies

著者 (5件)： Li KeJing (Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineerig, South China Normal University, Guangzhou 510006, People’s Republic of China) ,  Ye JinQian (Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineerig, South China Normal University, Guangzhou 510006, People’s Republic of China) ,  Zhang Juan (Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineerig, South China Normal University, Guangzhou 510006, People’s Republic of China) ,  Wang XiYuan (Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineerig, South China Normal University, Guangzhou 510006, People’s Republic of China) ,  Shao QingYi (Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, School of Physics and Telecommunication Engineerig, South China Normal University, Guangzhou 510006, People’s Republic of China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 87  ページ： 112-117  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を用いて,SW欠陥を持つSi/O/Al/P原子をドープした(5,0)BNNTを調べた。は主にSi/O/Al/PはSW欠陥を持つ(5,0)BNNTの安定性を改善したことを見出した。Mulliken電荷を考慮して,著者らは安定にSW欠陥を持つSi/O/Al/P原子はナノチューブに提供された電子(電荷+E状態または電荷e状態)を持ち,BNNT寄与すると考えられた。一方,エネルギーバンド構造とDOSの観点から,更なる理由を説明した。ドープした構造の安定性は,ドープされた原子とBNNTの間の混成に関連したconsiderredた。安定性はハイブリダイゼーションの程度を変化させることで変化した。,B原子はSW欠陥を持つ(5,0)BNNTへSi/O/Al/P原子の挿入に重要な役割を果たすことができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子構造 ,  電荷 ,  *密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  *ナノチューブ
準シソーラス用語： エネルギー帯 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Si/O/Al/P ,  Stone-Wales ,  密度汎関数理論研究

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (12件)： Stone-Wales欠陥 ,  Si ,  Al ,  原子 ,  ドープ ,  ほう素 ,  窒素 ,  ナノチューブ ,  安定性 ,  電子構造 ,  密度汎関数理論 ,  研究