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J-GLOBAL ID：201802250334956012   整理番号：18A0388055

MnAu_2膜の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of MnAu₂ films

著者 (2件)： Cheng S.F. (Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375 USA) ,  Bussmann K.M. (Naval Research Laboratory, Washington, DC, 20375 USA)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 421  ページ： 336-339  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ60~200nmの範囲のMnAu_2膜は元素ターゲットからの同時スパッタリングにより堆積した。X線回折はこれらの膜を確認した=0.336nmと0.876nmのバルク値とよく比較する=0.336nmおよび0.872nmの正方晶格子定数を持つほぼ単相であった。膜の密度をX線反射率を用いた14.95g/cm~3であり,以前に決定した値15.00g/~3の実験誤差内で解析した。c面サファイア,(100)MgOと(100)MgF_2上に成長させた膜はランダムに配向した多結晶が,a面サファイア上に成長させた膜,(111)MgOおよび(111)Si/(0001)AlNは(110)面が膜面に平行な,60°面内回転により異なる等量におけるドメインの三セットであることを示した。磁気秩序は近くにあるバルク値に近接した360K常磁性になることが分かった。複雑な磁気スイッチングを示す10Kで10kOe付近で観測されたヒステリシスループの傾斜の偏差である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 常磁性 ,  磁気秩序 ,  単相 ,  窒化アルミニウム ,  格子定数 ,  多結晶 ,  サファイア ,  X線回折 ,  酸化マグネシウム ,  正方晶系 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  磁気スイッチング ,  X線反射率 ,  同時スパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ヘリカルスピン ,  MnAu_2 ,  スパッタ膜 ,  構造

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 成長 ,  特性評価