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J-GLOBAL ID：201802250476940369   整理番号：18A1145440

非晶質-結晶シリコンヘテロ接合太陽電池の電気パラメータの研究:キャリア動力学と電流密度-電圧曲線のs-形との相関【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Electrical Parameters of Amorphous-Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells: Correlations Between Carrier Dynamics and S-Shape of Current Density-Voltage Curve

著者 (3件)： Mudgal Sapna (Center for Energy Studies, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, India) ,  Singh Sonpal (Center for Energy Studies, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, India) ,  Komarala Vamsi Krishna (Center for Energy Studies, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi, India)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 8  号： 4  ページ： 909-915  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前方/逆電圧および異なる光(青色,赤外および白色)バイアス条件下での量子効率(QE)特性化技術を用いて,低い充填因子および開回路電圧をもつS型電流密度-電圧特性を有するa-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)ヘテロ接合シリコン太陽電池を解析した。S形状の曲率は,接合障壁ポテンシャル(準Fermi準位分裂の変化)の修正のため,励起光強度に敏感である。S字形領域近傍/上の順方向バイアス電圧のみで,セルのQEは,接合場の減少と正孔の収集の障壁の支配のために一様に減少した。しかし,S形状特性に近いバイアス電圧での青色と白色光により,広い波長領域でのQEの均一な改善が,接合界面での欠陥飽和とa-Si層での光伝導のために観測された。白色光と電圧バイアスにより,セルのQEは異常に改善され,a-Si:H層の欠陥飽和のために,青色領域の電圧/光バイアス条件でのQE応答を交差させたが,赤外光と電圧バイアス条件では,非吸収光子前面領域の交差後のセルの深い領域におけるキャリア発生のために欠陥飽和は起こらなかった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  光子 ,  *ヘテロ接合 ,  バイアス ,  *電圧 ,  キャラクタリゼーション ,  白色光 ,  量子効率 ,  *接合 ,  赤外線 ,  *非晶質 ,  *電流密度
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： 非晶質 ,  結晶シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  パラメータ ,  研究 ,  キャリア動力学 ,  電流密度 ,  曲線 ,  形 ,  相関