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J-GLOBAL ID：201802250634055712   整理番号：18A0265877

InAlAs/GaAlAs量子ドットの光ルミネセンススペクトルに及ぼす電力密度と温度の影響【Powered by NICT】

Power density and temperature effects on the photoluminescence spectra of InAlAs/GaAlAs quantum dots

著者 (11件)： Ben Daly A. (Laboratoire Materiaux, Molecules et Applications, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, BP 51, 2070, La Marsa, Universite de Carthage, Tunis, Tunisia) ,  Riahi H. (Laboratoire Materiaux, Molecules et Applications, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, BP 51, 2070, La Marsa, Universite de Carthage, Tunis, Tunisia) ,  Bernardot F. (Sorbonne Universites, UPMC Universite Paris 06, UMR 7588, Institut des NanoSciences de Paris, F-75005 Paris, France) ,  Bernardot F. (CNRS, UMR 7588, INSP, F-75005 Paris, France) ,  Barisien T. (Sorbonne Universites, UPMC Universite Paris 06, UMR 7588, Institut des NanoSciences de Paris, F-75005 Paris, France) ,  Barisien T. (CNRS, UMR 7588, INSP, F-75005 Paris, France) ,  Galopin E. (Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS, UPR 20, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Lemaitre A. (Laboratoire de Photonique et Nanostructures, CNRS, UPR 20, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Maaref M.A. (Laboratoire Materiaux, Molecules et Applications, Institut Preparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, BP 51, 2070, La Marsa, Universite de Carthage, Tunis, Tunisia) ,  Testelin C. (Sorbonne Universites, UPMC Universite Paris 06, UMR 7588, Institut des NanoSciences de Paris, F-75005 Paris, France) ,  Testelin C. (CNRS, UMR 7588, INSP, F-75005 Paris, France)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 104  ページ： 321-330  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ルミネセンス(PL)と時間分解光ルミネセンス(TRPL)測定技術を用いて,サイズと異なるQDアルミニウム組成のIn_1 xAl_xAs/Ga_0 0.67Al_0 0.33として量子ドット(QD)の密度を特性化した。積分光ルミネセンス強度(IPL)は,励起光パワーに依存し,QD表面密度減少を強調したアルミニウム比率の増加と共に減少した。TRPL実験では,QD横方向結合の影響は高QD密度試料中の証拠であり,放射寿命は低アルミニウム比率の試料で温度の増加と共に増加し,代わりに,観測された放射寿命はQD零次元閉込めと一致し高アルミニウム比率の試料で一定に保つ。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  積分 ,  放射寿命 ,  *光ルミネセンス ,  キャラクタリゼーション ,  アルミニウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  励起
準シソーラス用語： 面密度 ,  励起光 ,  時間分解光ルミネセンス ,  *電力密度 ,  *光ルミネセンススペクトル ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子ドット ,  光ルミネセンス ,  時間分解光ルミネセンス ,  励起密度

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAlAs ,  GaAlAs ,  量子ドット ,  光ルミネセンススペクトル ,  電力密度