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J-GLOBAL ID：201802250758627183   整理番号：18A0780629

アニオン充填スクッテルダイト化合物I_0.9Ir₄Sb₁₂の高圧合成

High-pressure Synthesis of an Anion-filled Skutterudite Compound I_0.9Ir₄Sb₁₂

著者 (1件)： Fukuoka Hiroshi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima University)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 47  号： 4  ページ： 408-410(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヨウ素充填イリジウムスクッテルダイト化合物を,ヨウ素過剰出発混合物から,13GPaと850°Cで高圧・高温反応により得た。構造とヨウ素含有量をRietveld解析により精密化した。この化合物は9.3153(6)Åの格子定数と,I_0.9Ir₄Sb₁₂の組成を有している。この化合物は通常カチオンによって占められているが,スクッテルダイトのケージ中にアニオン種を含んでいる。したがって,これはスクッテルダイト族の稀なメンバーである。バンド構造計算は,化合物がヨウ素5p軌道が高度に寄与する伝導帯を有する金属であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イリジウム化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *ヨウ素化合物 ,  *結晶構造 ,  *化学合成 ,  化学組成 ,  Rietveld法 ,  構造解析 ,  精密化 ,  格子定数 ,  バンド構造 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： *スクッテルダイト型結晶 ,  *高温高圧合成 ,  構造精密化 ,  伝導帯 ,  充填スクッテルダイト化合物

著者キーワード (3件)： ヨウ素充填スクッテルダイト化合物 ,  イリジウム ,  高圧合成

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

引用文献 (25件)：

• 1) A. F. Wells, Structural Inorganic Chemistry, 5th ed., Oxford University Press, Oxford, 1984, Chap. 6, p. 267.
• 2) G. P. Meisner, Physica B (Amsterdam, Neth.) 1981, 108, 763.
• 3) G. S. Nolas, G. A. Slack, T. Caillat, G. P. Meisner, J. Appl. Phys. 1996, 79, 2622.
• 4) G. S. Nolas, G. A. Slack, D. T. Morelli, T. M. Tritt, A. C. Ehrlich, J. Appl. Phys. 1996, 79, 4002.
• 5) T. M. Tritt, G. S. Nolas, G. A. Slack, A. C. Ehrlich, D. J. Gillespie, J. L. Cohn, J. Appl. Phys. 1996, 79, 8412.

タイトルに関連する用語 (3件)： アニオン ,  充填スクッテルダイト化合物 ,  高圧合成