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J-GLOBAL ID：201802250850918667   整理番号：18A0190808

核放射線検出用の大型と低漏れSiCダイオード検出器に関する研究【Powered by NICT】

Study on large size and low leakage SiC diode detector for nuclear radiation detection

著者 (7件)： Wang Ling (State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Huang Runhua (State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Liu Ao (State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Chen Gang (State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Yang Tongtong (State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Bai Song (State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, China) ,  Liu Linyue (School of Nuclear Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, No. 28, Xianning West Road, Xi’an 710049, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SSLChina: IFWS  ページ： 152-155  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスサイズof10mm*10mmを用いて作成に成功した核放射線検出用の4H SiCPiN検出器。2.0×10~14cm~ 3以下のドーピング濃度と30μmの厚さのエピタキシャル層は検出器ドリフト領域としてN+基板上に成長させた。2×10~19cm~ 3ドーピングconcentrationhigherで成長させた高濃度ドープP+エピタキシャルlayerwas。本論文では,シミュレーション,製作および4H-SiC PiN検出器の電気的特性を報告した。ドライエッチングメサ構造は検出器終端構造として使用したデバイスのedageでの電場集中を回避し,デバイス性能を改善した。18Naの漏れ電流は4H-SiC PiN検出器から600Vのカソードバイアスで測定した。そして,この素子は10mAの順方向電流で2.7Vの順方向電圧降下を示した。Anuclear放射線検出結果は,このSiCPiN検出器についても報告を用いた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *放射線検出 ,  電気的性質 ,  *炭化ケイ素 ,  電圧降下 ,  メサ構造 ,  *放射線 ,  *ダイオード ,  エピタクシー ,  *検出器 ,  ドーピング ,  漏れ電流 ,  ドリフト ,  ドライエッチング ,  電場
準シソーラス用語： エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  整流器  (NB08040M)

タイトルに関連する用語 (8件)： 核 ,  放射線検出 ,  大型 ,  漏れ ,  SiC ,  ダイオード ,  検出器 ,  研究