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J-GLOBAL ID:201802250857136525   整理番号:18A1028600

c-Si太陽電池の作製の代替としてのドーパント技術に関するスピンの研究【JST・京大機械翻訳】

Study of the spin on dopant technique as alternative for the fabrication of c-Si solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,太陽電池エミッタ形成のためのn型液体源(スピンオンドーパント,SOD)を用いた結晶シリコン(c-Si)太陽電池の簡単な作製プロセスについて報告した。太陽電池をp型(5~15Ωcm),(100),低コストCzochralski(Cz)シリコンウエハ上に作製し,水酸化カリウム(KOH)に基づく溶液を用いて組織化した。本研究で達成された効率は100mm2の太陽電池で14%であった。本研究で報告された効率は,高効率c-Si太陽電池で達成されたものよりも低いが,製造プロセスの単純さ,低コストCZウエハの使用,およびドーピングガス(PH3またはPOCl3)の代わりにSODの使用は,太陽電池の低コストで工業的に互換性のある製造プロセスに対して興味深い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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