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J-GLOBAL ID：201802250979734701   整理番号：18A1490458

p型デルタドープSi/Al/Siヘテロ構造における超伝導に向けて【JST・京大機械翻訳】

Towards superconductivity in p-type delta-doped Si/Al/Si heterostructures

著者 (12件)： Ramanayaka A. N. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Kim Hyun-Soo (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Hagmann J. A. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Murray R. E. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Tang Ke (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Meisenkothen F. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Zhang H. R. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Bendersky L. A. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Davydov A. V. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Zimmerman Neil M. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Richter C. A. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  Pomeroy J. M. (National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, Maryland 20899, USA)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 7  ページ： 075329-075329-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型シリコン(Si)における超伝導の追跡において,Si基板と薄いSiエピ層の間に挟まれたアルミニウム(Al)の単一原子層を用いた。Si(100)表面の超高真空(UHV)フラッシュアニールとそれに続くAl単分子層の物理蒸着により,デルタ層を作製した。Alドーパントを活性化するために,試料を550°Cで1分間その場アニールした。Siキャッピング層を室温でその場電子ビーム蒸着し,続いて550°Cで10分間のex-situアニールを行い,Siキャッピング層を再結晶化した。低温磁気輸送測定により,キャリア密度1.39×10~14ホール/cm2で最大正孔移動度20cm~2/V/sを得た。これはドーパント原子当たり約(0.93±0.1)ホールに相当する。これらの素子ではT<300mKでも超伝導は観測されなかった。原子プローブトモグラフィーおよびエネルギー分散X線分光分析は,Alドーパントが約(17~25)nm厚さに分布することを示唆した。Alドーパントの再分布は,超伝導を観測するために臨界密度以下のSiマトリックス中のAl原子濃度を減少させる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  再結晶 ,  低温 ,  単分子層 ,  焼なまし ,  *ケイ素 ,  ドーパント ,  再分布 ,  *超伝導 ,  *アルミニウム ,  超高真空 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： キャップ層 ,  エピタキシャル層 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： デルタドープ ,  Si ,  Al ,  ヘテロ構造 ,  伝導