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J-GLOBAL ID:201802251093528280   整理番号:18A1028478

高性能太陽電池処理のためのn-CZシリコンにおけるバルク寿命を安定化するためのTabula Rasaの利用【JST・京大機械翻訳】

Utilization of Tabula Rasa to stabilize bulk lifetimes in n-Cz silicon for high-performance solar cell processing
著者 (7件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,高温,高い冷却速度のアニーリング・ラサ(TR)を研究し,太陽光発電のためのn型Czochralski成長シリコン(n-Cz Si)に関するその意味を報告する。Tabula Rasaは,細胞プロセス段階で成長し,それらの高い内部ゲッタリングと再結合活性により細胞性能を低下させることができる酸素析出核を溶解し,均質化することを目的としている。冷却速度>100°C/sのクリーンチューブ炉において,タブラサの熱処理を行った。著者らは,Sinton寿命と光ルミネセンスマッピングによるバルク寿命のキャラクタリゼーションを行った。TRの後,バルク寿命は,典型的な高温セルプロセス段階の後に,最初の未処理ウエハ(数ms)より等しいか,またはより高い値に回復するために,驚くほど<0.1msに低下した。それらはホウ素拡散と酸化を含む。リン拡散/酸化;850°Cでの雰囲気アニーリング;そして,トンネル不動態化接触(1.5nm熱酸化物上にドープした多結晶シリコン)の結晶化アニーリング。高温セル処理中の劇的な寿命改善は,金属不純物の外部ゲッタリングの改善と真性点欠陥のアニーリングに起因する。時間と注入に依存する寿命分光法により,tabラ処理後の寿命改善の機構をさらに明らかにした。さらに,n型Cz-Siウエハ上のタブルラサの有効性と酸素濃度への依存性を報告し,インゴット内の位置と相関させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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