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J-GLOBAL ID：201802251279450378   整理番号：18A0141585

ブースト水素発生へのSchottky触媒としてMoB/g C_3N_4界面材料【Powered by NICT】

MoB/g-C₃N₄ Interface Materials as a Schottky Catalyst to Boost Hydrogen Evolution

著者 (11件)： Zhuang Zechao (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, International School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Li Yong (Institute of Applied and Physical Chemistry and Center for Environmental Research and Sustainable Technology, Universitaet Bremen, 28359, Bremen, Germany) ,  Li Zilan (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, International School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Lv Fan (Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Lang Zhiquan (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, International School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Zhao Kangning (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, International School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Zhou Liang (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, International School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Moskaleva Lyudmila (Institute of Applied and Physical Chemistry and Center for Environmental Research and Sustainable Technology, Universitaet Bremen, 28359, Bremen, Germany) ,  Guo Shaojun (Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Mai Liqiang (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, International School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Mai Liqiang (Department of Chemistry, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名： Angewandte Chemie  (Angewandte Chemie)
巻： 130  号： 2  ページ： 505-509  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0396A  ISSN： 0044-8249  CODEN： ANCEAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属触媒上でのプロトン吸着は効率的な水素発生反応(HER)のための前提条件である。しかし,金属性を乱すことなく,プロトン吸着を調整する課題として残っている。金属-半導体接合原理に基づくSchottky触媒を提示した。金属MoBでは,n型半導体g C_3N_4の導入はMoB/g C_3N_4Schottky接合を横切る活発な電荷移動を誘導し,MoB表面における局所電子密度,複数の分光分析技術による確認を増加させた。Schottky触媒は低いTafel勾配46mV dec~ 1と17μA cm~ 2の高い交換電流密度を有する優れたHER活性,元MoBのそれよりもはるかに優れたを示した。第一原理計算は,Schottky接触は,プロトン吸着と還元座標の両方の速度論的障壁を劇的に下げることを明らかにし,表面水素発生に有利である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： N型半導体 ,  *触媒 ,  半導体接合 ,  電荷移動 ,  速度論 ,  金属性 ,  金属触媒 ,  陽子 ,  吸着 ,  金属 ,  水素発生反応 ,  電子密度
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  交換電流密度 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Elektrokatalyse ,  Graphitische Kohlenstoffnitride ,  Molybdaenborid ,  Schottky Kontakt ,  Wasserstoffentwicklung

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素発生 ,  触媒 ,  MOB ,  界面