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J-GLOBAL ID：201802251279655353   整理番号：18A1425395

剥離したMOS_2フレーク上の金属-半導体接触の電気的挙動の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of Electrical Behavior of Metal-Semiconductor Contacts on Exfoliated MoS₂ Flakes

著者 (3件)： Moun Monika (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India) ,  Singh Aditya (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India) ,  Singh Rajendra (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 14  ページ： e1800188  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D材料はナノ電子およびオプトエレクトロニクスデバイスにおけるそれらの潜在的応用のために研究されているが,それらの機能性はこれらの材料上の金属接触の適切な理解の欠如のためにまだ完全には探求されていない。本研究は,剥離したMoS_2フレーク上に堆積したクロム,銀,ニッケル,白金などの種々の金属の電気的挙動の研究を行った。MoS_2に対する異なる金属接触の比較研究により,Ag/AuはCr/Au及びNi/Au接触よりも高電流注入効率及び良好な線形性及びI-V曲線の対称性を有する良好なオーム挙動を示すことを示した。Ag/MoS_2接触に対する伝送線路測定(TLM)を用いて,比接触抵抗率を4.54×10~4Ωcm2と測定した。さらに,Ag/Auをオーム接触として,Pt/MoS_2Schottky障壁ダイオードを約900の高整流比で作製した。障壁高さと理想因子はそれぞれ0.56と2.1eVであった。本研究はナノスケール素子における潜在的応用を有するMoS_2上の高品質金属接触を有する可能性を開いた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 銀 ,  クロム ,  線形性 ,  Ohm接触 ,  二次元 ,  *半導体 ,  *フレーク ,  白金 ,  電流電圧特性 ,  ニッケル ,  *金
準シソーラス用語： ナノスケール ,  理想因子 ,  障壁高さ ,  電流注入 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電流電圧特性 ,  MoS2 ,  Ohm接触 ,  Schottkyダイオード ,  遷移金属ジカルコゲン化物

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： フレーク ,  挙動 ,  研究