文献

J-GLOBAL ID：201802251296246030   整理番号：18A1678112

65nm CMOSにおけるSEE非感受性CML電圧制御発振器【JST・京大機械翻訳】

A SEE Insensitive CML Voltage Controlled Oscillator in 65nm CMOS

著者 (3件)： Zhang Zhichao (Mechanical and Electrical Engineering, China University of Mining and Tecnology, China, 221116, Xuzhou) ,  Chen Li (Mechanical and Electrical Engineering, China University of Mining and Tecnology, China, 221116, Xuzhou) ,  Djahanshahi Hormoz (Mechanical and Electrical Engineering, China University of Mining and Tecnology, China, 221116, Xuzhou)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CCECE  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リング発振器は広い回転範囲,小面積,低コストのため広く使われてきた。しかし,従来の電流始動インバータに基づくROは,放射環境に適用した場合,単一イベント効果(SEEs)に非常に敏感である。ROに対するSE効果を緩和するために,電流モード論理(CML)ベースのRO-VCOを提案した。これにおいて,各ステージの遅延時間は主にトランジスタの相互コンダクタンスの代わりに抵抗器とコンデンサの値によって決定される。この回路を設計し,標準65nm CMOS技術でシミュレーションし,シミュレーション結果は,提案した構造が,旋削範囲と位相雑音性能に影響を及ぼすことなく,CMLベースVCOにおけるSEEを効果的に軽減することを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  トランジスタ ,  *感受性 ,  *VCO【発振器】 ,  コンデンサ ,  相互コンダクタンス ,  リング発振器 ,  抵抗器 ,  シミュレーション ,  旋削 ,  位相雑音 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 遅延時間 ,  CML【IC】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  SEE ,  感受性 ,  CML ,  電圧制御発振器