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J-GLOBAL ID:201802251351025299   整理番号:18A0403904

水素シルセスキオキサンの相分離により作製したシリコンナノ結晶薄膜からの光放出【Powered by NICT】

Light emissions from a silicon nanocrystal thin film prepared by phase separation of hydrogen silsesquioxane
著者 (5件):
資料名:
巻: 89  ページ: 57-60  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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相分離プロセスを経て窒素中で1100°Cでの水素シルセスキオキサン(HSQ)のフォトレジストをアニーリングすることによって埋め込まれたSiナノ結晶SiO_2(Si-NC:SiO_2)の薄膜を作製する容易な方法を報告した。空間密度,光ルミネセンス強度,HSQから作製した試料のSi-NCの光ルミネセンス効率とエレクトロルミネセンス強度,HSQ試料は焼なましSiO_x(1<x<2),またはSiO_試料の従来の方法で作られた試料の15.0、5.5、1.5および7.9倍であった。一方,HSQサンプルのエレクトロルミネセンスのターンオン電圧はわずか3.8eVであり,これはSiO_x試料のそれより2倍小さかった。本研究の結果は,高輝度Si光源の開発に応用を見出すであろう。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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固体デバイス製造技術一般 

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