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J-GLOBAL ID:201802251370796206   整理番号:18A1358207

種々の光強度下での電流電圧曲線による70keVと150keV陽子を照射したGaInP/GaAs/Ge太陽電池の劣化解析【JST・京大機械翻訳】

Degradation analyses of GaInP/GaAs/Ge solar cells irradiated by 70 keV and 150 keV protons by current-voltage curves under various intensities of light
著者 (9件):
資料名:
巻: 431  ページ: 1-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低エネルギー陽子はGaInP/GaAs/Ge太陽電池を深刻に損傷する。従来の劣化研究は,量子効率(QE)または光ルミネセンス(PL)のような多くの補助試験を必要とする。本論文では,太陽シミュレータを除いて他の装置なしで太陽電池の劣化を解析できる方法を確立した。光の種々の強度(X)下での電圧電流解析技術を開発し,陽子照射GaInP/GaAs/Ge太陽電池の劣化機構を研究した。各サブセルΣn_iの理想因子の合計を,多接合太陽電池における光強度による開回路電圧(V_oc)の変化から計算することができた。理想因子の変化は,70keVおよび150keV陽子照射後のShockley-Read-Hall(SRH)再結合の著しい増加を示した。シャント抵抗R_shは強度とともに増加し,シリコン太陽電池とは異なる。光強度によるR_shの変化を用いて,多接合太陽電池におけるサブセル間の電流不整合を記述した。照射後,電流不整合はより大きくなった。相対的分解速度は異なる光強度下で異なる。Max-パワー劣化は,高強度でより小さい傾向があった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  太陽電池 

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