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J-GLOBAL ID：201802251791241820   整理番号：18A0073629

van der Waals結合によるダイヤモンド基板上へのAlGaN/GaN RFデバイスの移動【Powered by NICT】

Transfer of AlGaN/GaN RF-devices onto diamond substrates via van der Waals bonding

著者 (9件)： Gerrer Thomas (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Cimalla Volker (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Waltereit Patrick (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Muller Stefan (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Benkelifa Fouad (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Maier Thomas (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Czap Heiko (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Nebel Christoph (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Quay Rudiger (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EuMIC  ページ： 25-28  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド基板上にSiから窒化ガリウム(AlGaN/GaN)デバイスのための新しい接合プロセスを提案した。技術ではAlGaN/GaNデバイスはvan der Waals結合による単一(SCD)と多結晶ダイヤモンド(PCD)基板上にシリコン(Si)から移動させた。3GHzと50VドレインバイアスでSiとsCdのロードプル測定は同等の電力付加効率(PAE)と出力電力(Pout)レベルを示した。,Si,PCD,SCD上の2×1mm GaNダイオードの比較は有意に増加したパワーレベルを明らかにした。要約すると,著者らは,将来の高出力マイクロ波GaNデバイス応用のための有望な新しいGaN/ダイヤモンド技術を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  ダイオード ,  ケイ素 ,  電力付加効率 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： 高出力マイクロ波 ,  出力電力 ,  ロードプル ,  多結晶ダイヤモンド ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： VAN ,  ダイヤモンド基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  RFデバイス