文献

J-GLOBAL ID：201802251938096807   整理番号：18A0618781

室温で3DOM In_2O_3のPd負荷誘起された優れたNO_2ガスセンシング【Powered by NICT】

Pd loading induced excellent NO₂ gas sensing of 3DOM In₂O₃ at room temperature

著者 (5件)： Wang Zhihua (State Key Laboratory of Chemical Resource, Beijing University of Chemical Technology, Beijing, 100029, China) ,  Men Geling (State Key Laboratory of Chemical Resource, Beijing University of Chemical Technology, Beijing, 100029, China) ,  Zhang Ruixue (State Key Laboratory of Chemical Resource, Beijing University of Chemical Technology, Beijing, 100029, China) ,  Gu Fubo (State Key Laboratory of Chemical Resource, Beijing University of Chemical Technology, Beijing, 100029, China) ,  Han Dongmei (State Key Laboratory of Chemical Resource, Beijing University of Chemical Technology, Beijing, 100029, China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 263  ページ： 218-228  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pd負荷した三次元規則化マクロポーラス(3DOM)In_2O_3センサは,Pdナノ粒子(NPs)の均一に分布した還元沈殿法により作製した。0.5wt%のPdを負荷した3DOM In_2O_3の応答は980 500ppbのNO_2は室温で,純粋なIn_2O_3のそれよりも5倍以上高かった。著者らの研究は,余分な加熱なしNO_2検出のための比較的単純であるがより効率的なアプローチを提示した。Pd誘導表面改質は電子空乏層の厚さ,NO_2性能を向上させるための支配的センシング機構であるが効果的に調整された。Pd NPは,3DOM In_2O_3担体の表面上に充填されているとき,だけでなく表面欠乏とキャリア濃度の量が増加するが,電子はIn_2O_3Pd NPから流れる。これらの結果Pd In_2O_3Schottky接触の形成と最終的にの全てはIn_2O_3担体上に空乏層を広げる。明らかに,著者らの研究は,余分な加熱なしNO_2検出のための比較的単純であるがより効率的なアプローチを示し,Pdを担持した3DOM In_2O_3センサは将来の応用のために,より適切であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 還元 ,  ナノ粒子 ,  沈降分離 ,  三次元 ,  キャリア密度 ,  ガスセンサ ,  *パラジウム ,  表面改質 ,  センサ ,  空乏層
準シソーラス用語： 感知機構 ,  マクロポーラス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 3DOM In_2O_3 ,  Pd負荷 ,  NO_2ガスセンサ ,  室温

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  Pd ,  誘起 ,  センシング