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J-GLOBAL ID：201802251954202045   整理番号：18A0126784

コア成分層の開発による薄膜シリコン太陽電池の性能向上【Powered by NICT】

Performance enhancement of thin-film silicon solar cells by development of core component layers

著者 (10件)： Cho Jun-Sik (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Jang Eunseok (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Lim Dongmin (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Lim Dongmin (Department of Materials Physics, Dong-A University, 840 Saha-gu, Busan 604-714, Republic of Korea) ,  Ahn Seungkyu (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Yoo Jinsu (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Park Joo Hyung (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Kim Kihwan (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Yun Jae Ho (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, 152 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Republic of Korea) ,  Choi Bo-Hun (Department of Materials Physics, Dong-A University, 840 Saha-gu, Busan 604-714, Republic of Korea)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 159  ページ： 444-452  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率薄膜シリコン(Si)太陽電池を,プラズマ増強化学蒸着法によりフレキシブル基板上に作製した。性能を改善するために,金属背面反射板,p型およびn型ドープ層,真性吸収層を含むコア成分層の微細構造,電気的,および光学的性質をきめ細かく制御した。低耐熱性のフレキシブル基板の使用を可能にするために同様に光散乱特性を増強するために,Ag/Al:Si二層構造を持つナノ構造の背面反射板は150°C以下の低い基板温度でdcマグネトロンスパッタリングにより開発した。高結晶性n型ドープシード層(固有ナノ結晶シリコン(nc Si:H)吸収体層の初期成長段階に形成された欠陥高密度非晶質領域を効果的に除去する)とp型ワイドバンドギャップナノ結晶炭化ケイ素(nc SiC:H)窓層(短波長領域における寄生吸収損失を低減し,開回路電圧(V_OC)を増加させる)は,太陽電池の性能特性を高めるために適用することに成功した。開発したコア成分層の組み合わせにより,8.84%(V_OC=0.53V,J_SC=25.28mA~2,および曲線因子(FF)=0.66,J_SCは短絡電流)と7.48%(V_OC=0.50V,J_SC=21.07mA~2,FF=0.71)の高い変換効率は,ステンレス鋼(SUS)とポリイミド基板上に作製したnc-Si:H太陽電池に対して得られた,それぞれ,150°C以下の低い基板温度であった。フレキシブルa-Si:H/nc-Si:H本研究で開発したnc-Si:H太陽電池は底部電池として応用したとき,SUS基板上に作製した二重接合太陽電池は,11.46%(V_OC=1.38V,J_SC=11.53mA~2,及びFF=0.72)の高い変換効率を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フレキシブル基板 ,  光学的性質 ,  短絡電流 ,  アルミニウム ,  *薄膜 ,  *電池 ,  基板温度 ,  ナノ構造 ,  反射体 ,  プラズマCVD ,  ドーピング ,  吸収体 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  変換効率 ,  曲線因子 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜シリコン ,  太陽電池 ,  フレキシブル基板 ,  Performance

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： コア ,  開発 ,  薄膜シリコン太陽電池 ,  性能向上