文献

J-GLOBAL ID：201802252017761366   整理番号：18A2079337

絶縁層として高k ZrO_2を持つAu/ZrO_2/n-GaN MIS接合の表面化学状態,電気的およびキャリア輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Surface chemical states, electrical and carrier transport properties of Au/ZrO₂/n-GaN MIS junction with a high-k ZrO₂ as an insulating layer

著者 (2件)： Rajagopal Reddy V. (Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati 517 502, India) ,  Venkata Prasad C. (Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati 517 502, India)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 231  ページ： 74-80  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k酸化ジルコニウム(ZrO_2)絶縁層をn型GaN上に堆積し,XPS法によりその化学的性質を調べた。XPSコアレベルスペクトルは,n-GaN基板上のZrO_2薄膜の形成を確認した。その後,Au/ZrO_2/n-GaN MIS接合を絶縁層としてZrO_2を用いて構築し,その電気的性質をAu/n-GaN MS接合と相関させた。結果は,高い障壁高さ(0.94eV)がMS接合(0.73eV)と比較してMIS接合で得られることを示し,障壁高さがZrO_2絶縁層により変化することを示唆した。MIS接合の推定界面状態密度(N_SS)はMS接合と比較して低く,高k ZrO_2絶縁層がN_SSを減少させることを明らかにした。結果は,逆漏れ電流機構が,MSとMIS接合の両方におけるPoole-Frenkel放出によって支配されることを確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペクトル ,  基板 ,  電気的性質 ,  *窒化ガリウム ,  X線光電子分光法 ,  *界面化学 ,  漏れ電流 ,  酸化ジルコニウム ,  薄膜 ,  X線光電子スペクトル ,  *接合
準シソーラス用語： 界面状態密度 ,  障壁高さ ,  *キャリア輸送 ,  *絶縁層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 酸化ジルコニウム ,  n型GaN ,  絶縁層 ,  MSとMIS接合 ,  電気的性質 ,  界面状態密度 ,  逆漏れ電流機構

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁層 ,  Au ,  GaN ,  MIS ,  化学状態 ,  キャリア ,  輸送特性