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J-GLOBAL ID：201802252108275442   整理番号：18A0573396

H終端ダイヤモンドにおける2次元ホールガスの移動度【Powered by NICT】

Mobility of Two-Dimensional Hole Gas in H-Terminated Diamond

著者 (6件)： Li Yao (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, P. R. China) ,  Zhang Jin-Feng (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, P. R. China) ,  Liu Gui-Peng (Institute of Microelectronics, Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of MOE, School of Physical Science and Tech-nology, Lanzhou University, Lanzhou, Gansu 730000, P. R. China) ,  Ren Ze-Yang (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, P. R. China) ,  Zhang Jin-Cheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, P. R. China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, P. R. China)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700401  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H終端ダイヤモンド表面に誘起された2次元ホールガス(2DHG)は,ダイヤモンド半導体の最も広く使用されている室温表面電気伝導度を提供する。H終端ダイヤモンド中の2次元正孔ガスの移動度の温度依存性と正孔シート密度依存性は四つの散乱機構を考慮して初めて検討した:表面不純物(SI)散乱,音響変形ポテンシャル(AC)散乱,非極性光学フォノン(NOP)散乱および表面/界面粗さ(SFR/IFR)散乱。計算結果を実験データと比較し,最良の一致は1.2×10~10eV cm~ 1と2nmの値を有する非極性光学フォノンD_nopと相関長さLの有効結合定数で得られ,それぞれである。理論データは,SI散乱は2次元正孔ガスの温度の比較的大きな範囲と表面不純物の近接による正孔密度で2DHG移動度を支配することを示したが,温度がさらに増加するとNOP散乱が重要になっている。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  密度依存性 ,  *移動度 ,  相関長 ,  温度依存性 ,  結合定数 ,  変形ポテンシャル ,  散乱 ,  正孔 ,  *ダイヤモンド ,  不純物 ,  非極性 ,  *二次元
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  二次元正孔ガス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： mobility ,  水素終端ダイヤモンド ,  散乱機構 ,  次元ホールガス

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 終端 ,  ダイヤモンド ,  2次元 ,  ホール ,  移動度