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J-GLOBAL ID：201802252145456749   整理番号：18A1505663

金属-有機化学蒸着により成長させたウエハスケールエピタキシャル1T′,1T′-2H混合および2H相MoTe_2薄膜【JST・京大機械翻訳】

Wafer-Scale Epitaxial 1T′, 1T′-2H Mixed, and 2H Phases MoTe₂ Thin Films Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (17件)： Kim TaeWan (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Park Hyeji (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Park Hyeji (Department of Chemical Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehak-ro, Pook-gu, Daegu, 41566, Korea) ,  Joung DaeHwa (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Joung DaeHwa (Department of Electrical Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehak-ro, Pook-gu, Daegu, 41566, Korea) ,  Kim DongHwan (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Kim DongHwan (Department of Physics, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, Republic of Korea) ,  Lee Rochelle (Department of Physics, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, Republic of Korea) ,  Shin Chae Ho (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Shin Chae Ho (Division of Industrial Metrology, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Diware Mangesh (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Chegal Won (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Jeong Soo Hwan (Department of Chemical Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehak-ro, Pook-gu, Daegu, 41566, Korea) ,  Shin Jae Cheol (Department of Physics, Yeungnam University, Gyeongsan, 38541, Republic of Korea) ,  Park Jonghoo (Department of Electrical Engineering, Kyungpook National University, 80 Daehak-ro, Pook-gu, Daegu, 41566, Korea) ,  Kang Sang-Woo (Advanced Instrumentation Institute, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 305-340, Korea) ,  Kang Sang-Woo (Department of Next-generation Device Engineering, University of Science and Technology, Daejeon, 305-350, Korea)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 5  号： 15  ページ： e1800439  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン(MoTe_2)のような二硫化モリブデンを超える2D材料は,相工学,1.0~1.1eVの比較的狭い直接バンドギャップ,および優れたキャリア輸送のような,それらの独特の特性のために,注目を集めている。しかし,MoTe_2薄膜を用いた次世代電子デバイスにおける実用化を達成するためにはウエハスケールの合成プロセスが必要である。ここでは,原子的に薄い1T′,1T′-2H混合,および2H相の直接成長は,4aにおいてMoTe_2膜を混合した。有機金属気相蒸着による高い空間均一性(≒96%)を有するSiO_2/Siウエハを報告した。さらに,数層MoTe_2膜のウエハスケール相工学を,H_2モル流量を制御することによって研究した。一方,低いH_2モル流量の使用は1T′と1T′-2H混合相MoTe_2膜をもたらすが,2H相MoTe_2膜は高いH_2モル流量で得られる。作製した2Hおよび1T′相MoTe_2チャネルで作製した電界効果トランジスタは,それぞれp型半導体および半金属特性を明らかにした。本研究では,p型半導体およびWyle半金属として次世代電子デバイスにおける実用化のために,H_2モル流量制御位相可変同調法を用いた1T′および2H相MoTe_2薄膜の信頼できるウエハスケール生産の可能性を実証した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 有機金属化合物 ,  *薄膜 ,  半金属 ,  二次元 ,  金属性 ,  *薄膜成長 ,  FET【トランジスタ】 ,  位相 ,  流量 ,  MOCVD ,  半導体
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  電子素子 ,  キャリア輸送 ,  直接バンドギャップ ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 1T′および2H相MoTe2 ,  H2流量 ,  有機金属化学蒸着 ,  位相工学 ,  ウエハスケール合成

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機化学 ,  蒸着 ,  成長 ,  薄膜