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J-GLOBAL ID:201802252231381773   整理番号:18A1218684

ゾル-ゲル法で高Mg含有量Zn1-xMgxO薄膜を調製した。【JST・京大機械翻訳】

Preparation of High Mg Content Zn1-xMgxO Thin Films by Sol-gel Method
著者 (2件):
資料名:
巻: 46  号: 11  ページ: 2228-2232  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ZB1-xMgxO薄膜をゾル-ゲル法で調製し,高Mg含有量のZn0.5Mg0を焼なました。5O薄膜の相組成、相偏析及び紫外-可視透過スペクトルにおける吸収端移動の影響、アニーリング温度≦500°Cの時、Zn0.5Mg0.5O薄膜は相偏析現象が発生しなかった。従って、高Mg含有量のZn0.5Mg0.5O薄膜に対して、アニーリング温度はMg2+のZnO中の固溶度を影響する肝心な要素であり、400°Cは理想的なアニーリング温度である。これらの条件下で,Zn1-xMgO(x=00.8)薄膜のバンドギャップに及ぼすMg含有量の影響を,Mg含有量の増加とともに研究した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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