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J-GLOBAL ID：201802252337203489   整理番号：18A0713886

バルクおよび表面(001)In_xGa_1-xAsの電子および光学特性に関する理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical study on the electronic and optical properties of bulk and surface (001) In_xGa_1-xAs

著者 (10件)： Liu XueFei (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Liu XueFei (College of Physics and Electronic science, Guizhou Normal University, Guiyang 550025, China) ,  Ding Zhao (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Luo ZiJiang (College of Information, Guizhou Finance and Economics University of, Guiyang 550025, China) ,  Zhou Xun (College of Physics and Electronic science, Guizhou Normal University, Guiyang 550025, China) ,  Wei JieMin (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Wei JieMin (Guizhou Institute of Technology, Guiyang 550002, China) ,  Wang Yi (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Guo Xiang (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China) ,  Lang QiZhi (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 537  ページ： 68-76  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,表面とバルクIn_xGa_1-xAs材料の光学的性質を初めて系統的に比較した。バルクおよび表面In_xGa_1-xAs材料の誘電関数,反射率,吸収係数,損失関数および屈折率を含むバンド構造,状態密度および光学特性を,LDA近似内の平面波擬ポテンシャル法に基づく第一原理によって研究した。結果は,利用可能な理論的および実験的研究と良く一致し,バルクおよび表面In_xGa_1-xAs材料の電子的および光学的性質は非常に異なり,結果は,両方の材料の考慮された光学的性質が,反対の方法でインジウム組成の増加とともに変化することを示した。計算により,表面In_0.75Ga_0.25As材料の光学特性は,表面In_xGa_1-xAs材料の他の2つのインジウム組成から遠いが,バルクIn_xGa_1-xAs材料の光学特性は,予想される規則的方法でインジウム組成の増加とともに変化することを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電関数 ,  吸収係数 ,  損失関数 ,  平面波 ,  *光学的性質 ,  反射率 ,  状態密度 ,  インジウム ,  擬ポテンシャル法 ,  屈折率 ,  近似法 ,  バンド構造 ,  第一原理
準シソーラス用語： 実験研究 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： XGa_1-xAsの表面 ,  バルクIn_xGa_1-xAs ,  電子特性 ,  光学的性質 ,  LDA

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  非晶質半導体の構造  (BK04030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  電子 ,  光学特性 ,  理論 ,  研究