文献

J-GLOBAL ID：201802252477795808   整理番号：18A0910921

エネルギー収穫のための0.18μm標準CMOSプロセスにおける190mVのスタートアップと59.2%の効率を持つCMOSゲートブースト倍電圧器チャージポンプ

A 190 mV start-up and 59.2% efficiency CMOS gate boosting voltage doubler charge pump in 0.18 μm standard CMOS process for energy harvesting

著者 (2件)： YOSHIDA Minori (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FF02.1-04FF02.7  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電気回路 ,  励起 ,  *エネルギー変換 ,  半導体プロセス ,  半導体集積回路 ,  ゲート回路
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  CMOS回路 ,  *エネルギー収穫 ,  チャージポンプ ,  *倍電圧器

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： エネルギー収穫 ,  標準 ,  CMOSプロセス ,  スタートアップ ,  CMOS ,  ゲート ,  倍電圧器 ,  チャージポンプ