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J-GLOBAL ID:201802252482003233   整理番号:18A0813944

Si(001)表面上の非平衡エピタクシーにより成長させたGeナノ結晶膜の形態と光学的性質【JST・京大機械翻訳】

Morphology and optical properties of Ge nanocrystalline films grown by nonequilibrium epitaxy on Si (001) surface
著者 (10件):
資料名:
巻: 654  ページ: 54-60  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GeおよびSiGeナノ結晶を有する薄膜の光学的性質および形態を,Raman散乱,多角度偏光解析およびX線測定の方法を用いて研究した。350°C,高成長速度でのSi(001)表面上の低温Geエピタクシーは,約50%の多孔性を持つGeナノ結晶から成る薄膜の形成をもたらすことを観察結果は示した。膜表面へのSi吸着原子の堆積は,ナノ結晶による表面の再構成を刺激し,Ge結晶度の増加,隣接するナノ結晶の合体,およびわずかなSi-Ge混合における結果となる。シリコン蒸着による光学定数の値の変化をBruggeman近似により記述した。これらの変化の主な理由は,Siキャッピング層を持つ構造における膜の結晶化とSi結晶相の出現である。作製したGeナノ結晶固体とSiで被覆した膜は,ホッピング領域で動作する膜と素子の高い吸収容量のために,量子ドット太陽電池に使用できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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